Spesifikasi teknis
| Jenis | MOSFET N-channel 30 V (HEXFET) |
|---|---|
| Merek | International Rectifier (Infineon) |
| Tegangan drain-source (VDS) | 30 V |
| Tegangan gate-source (VGS) | ±20 V |
| Arus drain kontinu (ID) | 20 A (TA 25 °C) · 16 A (TA 70 °C), VGS 10 V |
| Arus drain pulsa (IDM) | 160 A |
| RDS(on) maks | 4,0 mΩ (VGS 10 V) · 4,8 mΩ (VGS 4,5 V) |
| Tegangan ambang gate (VGS(th)) | 1,39 V – 2,32 V |
| Muatan gate total (Qg) | 34 nC typ · 51 nC maks (VGS 4,5 V) |
| Disipasi daya (PD) | 2,5 W (TA 25 °C) |
| Suhu sambungan dan penyimpanan | -55 °C – +155 °C |
| Jumlah kanal | 1 |
| Kemasan | SO-8 |
| Jenis pemasangan | Surface Mount |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet International Rectifier IRF7832PbF (06/30/05).
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.


