IRF9540N IR TO-220
Rp9.399
MOSFETs MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC
Stok 37
Spesifikasi teknis
| Jenis | MOSFET daya P-channel HEXFET, avalanche berulang diizinkan sampai TJ maksimum |
|---|---|
| Merek | International Rectifier (Infineon) |
| Tegangan drain-source (VDSS) | -100 V |
| Tegangan gate-source (VGS) | ±20 V |
| Arus drain kontinu (ID) | -23 A pada TC 25 °C; -14 A pada TC 100 °C (VGS -10 V) |
| Arus drain pulsa (IDM) | -92 A |
| Tegangan ambang gate (VGS(th)) | -2,0 V minimum, -4,0 V maksimum (VDS = VGS, ID -250 µA) |
| RDS(on) | 117 mΩ maksimum pada VGS -10 V, ID -14 A |
| Transkonduktansi maju (gfs) | Minimum 5,6 S pada VDS -50 V, ID -14 A |
| Muatan gate total (Qg) | 73 nC tipikal, 110 nC maksimum pada ID -14 A, VGS -10 V |
| Muatan gate-drain (Qgd) | 38 nC tipikal, 57 nC maksimum |
| Kapasitansi masukan (Ciss) | 1450 pF pada VGS 0 V, VDS -25 V, f 1 MHz |
| Kapasitansi keluaran (Coss) | 430 pF pada kondisi yang sama |
| Kapasitansi transfer balik (Crss) | 230 pF pada kondisi yang sama |
| Waktu switching | Turn-on delay 13 ns, rise 64 ns, turn-off delay 40 ns, fall 45 ns (tipikal) |
| Tegangan maju dioda body (VSD) | -1,6 V maksimum pada IS -14 A |
| Waktu pemulihan balik dioda (trr) | 140 ns tipikal, 210 ns maksimum |
| Disipasi daya (PD) | 110 W pada TC 25 °C; 3,1 W pada TA 25 °C, derating 0,9 W/°C |
| Energi avalanche pulsa tunggal (EAS) | 84 mJ |
| Energi avalanche berulang (EAR) | 11 mJ |
| Ketahanan dv/dt pemulihan dioda | -13 V/ns |
| Resistansi termal junction-case (RθJC) | 1,1 °C/W |
| Resistansi termal junction-ambient (RθJA) | 40 °C/W (terpasang di PCB, keadaan tunak) |
| Suhu kerja dan penyimpanan (TJ, Tstg) | -55 °C – +150 °C |
| Jumlah kanal | 1 |
| Kemasan | TO-220AB |
| Jenis pemasangan | Through Hole |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet International Rectifier IRF9540NPbF.
Komponen ini P-channel, sehingga datasheet menuliskan tegangan dan arusnya sebagai angka negatif. Tanda minus menunjukkan arah, bukan nilai yang lebih kecil.
Dua angka sering dikutip keliru untuk komponen ini: disipasi daya 140 W (datasheet menyebut 110 W pada suhu case 25 °C) dan suhu kerja sampai 175 °C (datasheet menyebut 150 °C). Muatan gate juga sering dikutip lebih rendah dari angka datasheet.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.
Sumber: datasheet International Rectifier, salinan melalui LCSC, C2575.
