Spesifikasi teknis
| Jenis | MOSFET daya P-channel 50 V |
|---|---|
| Merek | Vishay Siliconix |
| Tegangan drain-source (VDS) | -50 V |
| Tegangan gate-source (VGS) | ±20 V |
| Arus drain kontinu (ID) | -9,7 A (TC 25 °C) · -6,1 A (TC 100 °C), VGS -10 V |
| Arus drain pulsa (IDM) | -39 A |
| RDS(on) maks | 0,28 Ω (VGS -10 V, ID -5,6 A) |
| Tegangan ambang gate (VGS(th)) | -2,0 V – -4,0 V |
| Muatan gate total (Qg) | 17 nC typ · 26 nC maks (VGS -10 V) |
| Disipasi daya (PD) | 40 W (TC 25 °C) |
| Suhu sambungan dan penyimpanan | -55 °C – +150 °C |
| Jumlah kanal | 1 |
| Kemasan | TO-220AB |
| Jenis pemasangan | Through Hole |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet Vishay IRF9Z20 / SiHF9Z20 (dokumen 90121, Rev. C, 18-Jan-16). Akhiran PbF menandai versi bebas timbal dengan rating listrik yang sama.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.


