IRF9Z34NPBF INFINEON TO-220
Rp18.500
MOSFETs MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC
Stok 19
Spesifikasi teknis
| Jenis | MOSFET daya P-channel HEXFET generasi kelima |
|---|---|
| Merek | International Rectifier (Infineon) |
| Tegangan drain-source (BVDSS) | -55 V |
| Tegangan gate-source (VGS) | ±20 V |
| Arus drain kontinu (ID) | -19 A pada TC 25 °C; -14 A pada TC 100 °C (VGS -10 V) |
| Arus drain pulsa (IDM) | -68 A |
| Tegangan ambang gate (VGS(th)) | -2,0 V minimum, -4,0 V maksimum (VDS = VGS, ID 250 µA) |
| Koefisien suhu tegangan breakdown | -0,05 V/°C |
| RDS(on) | 0,10 Ω maksimum pada VGS -10 V |
| Transkonduktansi maju (gfs) | Minimum 4,2 S |
| Muatan gate total (Qg) | 35 nC maksimum |
| Muatan gate-source (Qgs) | 7,9 nC maksimum |
| Muatan gate-drain (Qgd, Miller) | 16 nC maksimum |
| Waktu switching | Turn-on delay 13 ns, rise 55 ns, turn-off delay 30 ns, fall 41 ns (tipikal) |
| Disipasi daya (PD) | 68 W pada TC 25 °C, derating 0,45 W/°C |
| Energi avalanche pulsa tunggal (EAS) | 180 mJ |
| Arus avalanche (IAR) | -10 A |
| Energi avalanche berulang (EAR) | 6,8 mJ |
| Suhu kerja dan penyimpanan (TJ, Tstg) | -55 °C – +175 °C |
| Jumlah kanal | 1 |
| Kemasan | TO-220AB |
| Jenis pemasangan | Through Hole |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet International Rectifier IRF9Z34NPbF.
Muatan gate total komponen ini sering dikutip sebagai 23,3 nC. Angka tersebut tidak ada di datasheet: nilai yang dijamin adalah 35 nC maksimum, dan 23,3 nC tepat dua pertiga darinya.
Disipasi daya sebelumnya tertulis 56 W dan arus drain kontinu -17 A. Datasheet menyebut 68 W dan -19 A pada TC 25 °C.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.
Sumber: datasheet International Rectifier IRF9Z34NPbF, salinan melalui LCSC, C500523.
