Name: IRFB260NPBF INFINEON TO-220 - RDD Technologies
Brand: INFINEON
SKU: 15100485-L43.17
Price: 70000 IDR
Availability: InStock

Spesifikasi teknis

Jenis	MOSFET daya N-channel 200 V untuk SMPS (HEXFET)
Merek	Infineon Technologies (desain International Rectifier)
Tegangan drain-source (V(BR)DSS)	200 V
Tegangan gate-source (VGS)	±20 V
Arus drain kontinu (ID)	56 A (TC 25 °C) · 40 A (TC 100 °C), VGS 10 V
Arus drain pulsa (IDM)	220 A
RDS(on) maks	0,040 Ω (VGS 10 V, ID 34 A)
Tegangan ambang gate (VGS(th))	2,0 V – 4,0 V
Muatan gate total (Qg)	150 nC typ · 220 nC maks (VGS 10 V)
Disipasi daya (PD)	380 W (TC 25 °C)
Suhu sambungan dan penyimpanan	-55 °C – +175 °C
Jumlah kanal	1
Kemasan	TO-220AB
Jenis pemasangan	Through Hole

Keterangan

Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet International Rectifier IRFB260NPbF (PD-95473). International Rectifier kini menjadi bagian dari Infineon.

Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.

Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.