IRFB4227PBF INFINEON TO-220

Spesifikasi teknis

Jenis	MOSFET daya N-channel HEXFET dengan waktu rise dan fall pendek untuk switching cepat
Merek	International Rectifier (Infineon)
Tegangan drain-source (BVDSS)	200 V
Tegangan gate-source (VGS)	±30 V
Arus drain kontinu (ID)	65 A pada TC 25 °C; 46 A pada TC 100 °C (VGS 10 V)
Arus drain pulsa (IDM)	260 A
Tegangan ambang gate (VGS(th))	3,0 V minimum, 5,0 V maksimum (VDS = VGS, ID 250 µA)
Koefisien suhu tegangan ambang	-13 mV/°C
RDS(on)	24 mΩ maksimum (19,7 mΩ tipikal) pada VGS 10 V, ID 46 A
Transkonduktansi maju (gfs)	Minimum 49 S pada VDS 25 V, ID 46 A
Muatan gate total (Qg)	70 nC tipikal, 98 nC maksimum pada VDD 100 V, ID 46 A, VGS 10 V
Kapasitansi masukan (Ciss)	4600 pF pada VGS 0 V, VDS 25 V, f 1 MHz
Kapasitansi keluaran (Coss)	460 pF pada kondisi yang sama
Kapasitansi transfer balik (Crss)	91 pF pada kondisi yang sama
Kapasitansi keluaran efektif (Coss eff.)	360 pF (VDS 0 V sampai 160 V)
Waktu switching	Turn-on delay 33 ns, rise 20 ns, turn-off delay 21 ns, fall 31 ns (tipikal)
Disipasi daya (PD)	330 W pada TC 25 °C; 190 W pada TC 100 °C, derating 2,2 W/°C
Suhu kerja dan penyimpanan (TJ, Tstg)	-40 °C – +175 °C
Jumlah kanal	1
Kemasan	TO-220AB
Jenis pemasangan	Through Hole

Keterangan

Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet International Rectifier IRFB4227PbF.

Tegangan ambang gate komponen ini sering dikutip sebagai 1,8 V. Angka tersebut tidak ada di datasheet: rentang yang dijamin adalah 3,0 V sampai 5,0 V. Perbedaan ini penting karena komponen ini bukan tipe logic level dan memerlukan tegangan gate penuh untuk menyala sepenuhnya.

Perhatikan suhu kerja terendahnya -40 °C, berbeda dari -55 °C pada kebanyakan HEXFET lain.

Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.

Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.

Sumber: datasheet International Rectifier, salinan melalui LCSC, C2652.