IRFB42N20DPBF IR TO-220

Spesifikasi teknis

Jenis	MOSFET daya N-channel HEXFET dengan dioda body cepat
Merek	International Rectifier (Infineon)
Tegangan drain-source (BVDSS)	200 V
Tegangan gate-source (VGS)	±30 V
Arus drain kontinu (ID)	44 A pada TC 25 °C; 31 A pada TC 100 °C (VGS 10 V)
Tegangan ambang gate (VGS(th))	3,0 V minimum, 5,5 V maksimum (VDS = VGS, ID 250 µA)
RDS(on)	0,055 Ω maksimum pada VGS 10 V, ID 26 A
Muatan gate total (Qg)	91 nC tipikal, 140 nC maksimum pada ID 26 A, VDS 160 V, VGS 10 V
Muatan gate-source (Qgs)	24 nC tipikal, 36 nC maksimum
Muatan gate-drain (Qgd, Miller)	43 nC tipikal, 65 nC maksimum
Kapasitansi masukan (Ciss)	3430 pF pada VGS 0 V
Kapasitansi keluaran (Coss)	530 pF pada VDS 25 V
Kapasitansi transfer balik (Crss)	100 pF pada f 1 MHz
Waktu switching	Turn-on delay 18 ns, rise 69 ns, turn-off delay 29 ns, fall 32 ns (tipikal)
Disipasi daya (PD)	330 W pada TC 25 °C
Suhu kerja dan penyimpanan (TJ, Tstg)	-55 °C – +175 °C
Jumlah kanal	1
Kemasan	TO-220AB
Jenis pemasangan	Through Hole

Keterangan

Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet International Rectifier IRFB42N20DPbF.

Disipasi daya sebelumnya tertulis 2,4 W. Datasheet menyebut 330 W pada TC 25 °C untuk kemasan TO-220AB.

Tegangan ambang gate sebelumnya tertulis 5,5 V saja. Angka itu adalah batas maksimum; rentang yang dijamin adalah 3,0 V sampai 5,5 V.

Muatan gate total 91 nC adalah nilai tipikal dari datasheet dan sudah benar; nilai maksimumnya 140 nC.

Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.

Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.

Sumber: datasheet International Rectifier IRFB42N20DPbF, salinan melalui LCSC, C495799.