Name: IRFB4410ZPBF INFINEON TO-220 - RDD Technologies
Brand: INFINEON
SKU: 15996-L30.13
Price: 32000 IDR
Availability: InStock

Spesifikasi teknis

Jenis	MOSFET daya N-channel 100 V (HEXFET)
Merek	Infineon Technologies
Tegangan drain-source (V(BR)DSS)	100 V
Tegangan gate-source (VGS)	±20 V
Arus drain kontinu (ID)	97 A (TC 25 °C) · 69 A (TC 100 °C), VGS 10 V, silicon limited
Arus drain pulsa (IDM)	390 A
RDS(on) maks	9,0 mΩ (VGS 10 V, ID 58 A)
Tegangan ambang gate (VGS(th))	2,0 V – 4,0 V
Muatan gate total (Qg)	83 nC typ · 120 nC maks (VGS 10 V)
Disipasi daya (PD)	230 W (TC 25 °C)
Suhu sambungan dan penyimpanan	-55 °C – +175 °C
Jumlah kanal	1
Kemasan	TO-220AB
Jenis pemasangan	Through Hole

Keterangan

Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet Infineon IRFB4410ZPbF / IRFS4410ZPbF / IRFSL4410ZPbF (Rev. 2.1, 2026-08-06), versi TO-220AB (IRFB4410ZPbF).

Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.

Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.