Spesifikasi teknis
| Jenis | Dua MOSFET N-channel 150 V dalam konfigurasi half-bridge, untuk amplifier audio Class D |
|---|---|
| Merek | Infineon Technologies (desain International Rectifier) |
| Tegangan drain-source (VDS) | 150 V |
| Tegangan gate-source (VGS) | ±20 V |
| Arus drain kontinu (ID) | 8,7 A (TC 25 °C) · 6,2 A (TC 100 °C), VGS 10 V, per MOSFET |
| Arus drain pulsa (IDM) | 34 A |
| RDS(on) maks | 95 mΩ (VGS 10 V, ID 5,2 A) |
| Tegangan ambang gate (VGS(th)) | 3,0 V – 4,9 V |
| Muatan gate total (Qg) | 13 nC typ · 20 nC maks (VGS 10 V) |
| Disipasi daya (PD) | 18 W (TC 25 °C) |
| Suhu sambungan dan penyimpanan | -55 °C – +150 °C |
| Jumlah kanal | 2 (half-bridge) |
| Kemasan | TO-220 Full-Pak 5 pin |
| Jenis pemasangan | Through Hole |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet International Rectifier IRFI4019H-117P (8/22/06); nilai berlaku untuk satu MOSFET. International Rectifier kini menjadi bagian dari Infineon.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.


