Spesifikasi teknis
| Jenis | MOSFET daya N-channel HEXFET |
|---|---|
| Merek | International Rectifier (Infineon) |
| Tegangan drain-source (BVDSS) | 200 V |
| Tegangan gate-source (VGS) | ±20 V |
| Arus drain kontinu (ID) | 30 A pada TC 25 °C; 21 A pada TC 100 °C (VGS 10 V) |
| Tegangan ambang gate (VGS(th)) | 2,0 V minimum, 4,0 V maksimum (VDS = VGS, ID 250 µA) |
| RDS(on) | 0,075 Ω maksimum pada VGS 10 V, ID 18 A |
| Muatan gate total (Qg) | 123 nC maksimum pada ID 18 A, VDS 160 V, VGS 10 V |
| Muatan gate-source (Qgs) | 21 nC maksimum |
| Muatan gate-drain (Qgd, Miller) | 57 nC maksimum |
| Kapasitansi masukan (Ciss) | 2159 pF pada VGS 0 V |
| Kapasitansi keluaran (Coss) | 315 pF pada VDS 25 V |
| Kapasitansi transfer balik (Crss) | 83 pF pada f 1 MHz |
| Waktu switching | Turn-on delay 14 ns, rise 43 ns, turn-off delay 41 ns, fall 33 ns (tipikal) |
| Disipasi daya (PD) | 214 W pada TC 25 °C |
| Tegangan maju dioda body (VSD) | 1,3 V maksimum pada IS 18 A, VGS 0 V |
| Suhu kerja dan penyimpanan (TJ, Tstg) | -55 °C – +175 °C |
| Jumlah kanal | 1 |
| Kemasan | TO-247AC |
| Jenis pemasangan | Through Hole |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet International Rectifier IRFP250MPbF.
Muatan gate total komponen ini sering dikutip sebagai 82 nC. Angka tersebut tidak ada di datasheet: nilai yang dijamin adalah 123 nC maksimum, dan 82 nC tepat dua pertiga darinya.
Tegangan ambang gate sebelumnya tertulis 4 V saja. Angka itu adalah batas maksimum; rentang yang dijamin adalah 2,0 V sampai 4,0 V.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.
Sumber: datasheet International Rectifier IRFP250MPbF, salinan melalui LCSC, C2676.
