Name: IRFP260NPBF INFINEON TO-247 - RDD Technologies
Brand: INFINEON
SKU: 17855
Price: 28000 IDR
Availability: InStock

Spesifikasi teknis

Jenis	MOSFET daya N-channel 200 V (HEXFET)
Merek	Infineon Technologies
Tegangan drain-source (V(BR)DSS)	200 V
Tegangan gate-source (VGS)	±20 V
Arus drain kontinu (ID)	50 A (TC 25 °C) · 35 A (TC 100 °C), VGS 10 V
Arus drain pulsa (IDM)	200 A
RDS(on) maks	0,04 Ω (VGS 10 V, ID 28 A)
Tegangan ambang gate (VGS(th))	2,0 V – 4,0 V
Muatan gate total (Qg)	234 nC maks (VGS 10 V)
Disipasi daya (PD)	300 W (TC 25 °C)
Suhu sambungan dan penyimpanan	-55 °C – +175 °C
Jumlah kanal	1
Kemasan	TO-247AC
Jenis pemasangan	Through Hole

Keterangan

Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet Infineon IRFP260NPbF (Rev. 2.1, 2024-10-08). Seri HEXFET ini awalnya dikembangkan oleh International Rectifier, yang kini menjadi bagian dari Infineon.

Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.

Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.