Spesifikasi teknis
| Jenis | MOSFET daya N-channel 200 V untuk SMPS (HEXFET) |
|---|---|
| Merek | International Rectifier (Infineon) |
| Tegangan drain-source (V(BR)DSS) | 200 V |
| Tegangan gate-source (VGS) | ±20 V |
| Arus drain kontinu (ID) | 5,0 A (TC 25 °C) · 3,5 A (TC 100 °C), VGS 10 V |
| Arus drain pulsa (IDM) | 20 A |
| RDS(on) maks | 600 mΩ (VGS 10 V, ID 2,9 A) |
| Tegangan ambang gate (VGS(th)) | 2,0 V – 4,0 V |
| Muatan gate total (Qg) | 15 nC typ · 23 nC maks (VGS 10 V) |
| Disipasi daya (PD) | 43 W (TC 25 °C) |
| Suhu sambungan dan penyimpanan | -55 °C – +175 °C |
| Jumlah kanal | 1 |
| Kemasan | D-Pak (TO-252) |
| Jenis pemasangan | Surface Mount |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet International Rectifier IRFR220NPbF / IRFU220NPbF (12/10/04), versi D-Pak (IRFR220N). Akhiran TR pada IRFR220NTRPBF menandai kemasan tape & reel dengan rating listrik yang sama.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.


