Spesifikasi teknis
| Jenis | MOSFET daya N-channel 50 V |
|---|---|
| Merek | Vishay Siliconix |
| Tegangan drain-source (VDS) | 50 V |
| Tegangan gate-source (VGS) | ±20 V |
| Arus drain kontinu (ID) | 15 A (TC 25 °C) · 10 A (TC 100 °C), VGS 10 V |
| Arus drain pulsa (IDM) | 60 A |
| RDS(on) maks | 0,10 Ω (VGS 10 V, ID 10 A) |
| Tegangan ambang gate (VGS(th)) | 2,0 V – 4,0 V |
| Muatan gate total (Qg) | 12 nC typ · 17 nC maks (VGS 10 V) |
| Disipasi daya (PD) | 40 W (TC 25 °C) |
| Suhu sambungan dan penyimpanan | -55 °C – +150 °C |
| Jumlah kanal | 1 |
| Kemasan | TO-220AB |
| Jenis pemasangan | Through Hole |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet Vishay IRFZ20 (dokumen 91340, Rev. B, 25-Oct-2021). Akhiran PbF menandai versi bebas timbal dengan rating listrik yang sama.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.


