IRLB3034PBF IR TO-220
Rp40.000
Stok 16
Spesifikasi teknis
| Jenis | MOSFET daya N-channel 40 V, logic level (HEXFET) |
|---|---|
| Merek | International Rectifier (Infineon) |
| Tegangan drain-source (VDSS) | 40 V |
| Tegangan gate-source (VGS) | ±20 V |
| Arus drain kontinu (ID) | 343 A (TC 25 °C) · 243 A (TC 100 °C), silicon limited · 195 A dibatasi kemasan |
| Arus drain pulsa (IDM) | 1372 A |
| RDS(on) maks | 1,7 mΩ (VGS 10 V) · 2,0 mΩ (VGS 4,5 V) |
| Tegangan ambang gate (VGS(th)) | 1,0 V – 2,5 V |
| Muatan gate total (Qg) | 108 nC typ · 162 nC maks (VGS 4,5 V) |
| Disipasi daya (PD) | 375 W (TC 25 °C) |
| Suhu sambungan dan penyimpanan | -55 °C – +175 °C |
| Jumlah kanal | 1 |
| Kemasan | TO-220AB |
| Jenis pemasangan | Through Hole |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet International Rectifier IRLB3034PbF (PD-97363, 01/14/09). International Rectifier kini menjadi bagian dari Infineon.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.
