IRLML2060TRPBF IR SOT23
Rp3.500
Stok 96
Spesifikasi teknis
| Jenis | MOSFET daya N-channel HEXFET |
|---|---|
| Merek | International Rectifier (Infineon) |
| Tegangan drain-source (BVDSS) | 60 V |
| Tegangan gate-source (VGS) | ±16 V |
| Arus drain kontinu (ID) | 1,2 A (TA 25 °C, VGS 10 V) · 0,93 A (TA 70 °C, VGS 10 V) |
| Arus drain pulsa (IDM) | 4,8 A |
| Tegangan ambang gate (VGS(th)) | 1,0 – 2,5 V (VDS = VGS, ID 25 µA) |
| RDS(on) | 356 mΩ typ, 480 mΩ maks (VGS 10 V, ID 1,2 A) · 475 mΩ typ, 640 mΩ maks (VGS 4,5 V, ID 0,96 A) |
| Transkonduktansi maju (gfs) | 1,6 S min (VDS 25 V, ID 1,2 A) |
| Muatan gate total (Qg) | 0,67 nC typ (VGS 4,5 V, VDS 30 V, ID 1,2 A) |
| Muatan gate-source (Qgs) | 0,18 nC typ |
| Muatan gate-drain (Qgd, Miller) | 0,40 nC typ |
| Kapasitansi masukan (Ciss) | 64 pF typ (VGS 0 V, VDS 25 V, f 1 MHz) |
| Kapasitansi keluaran (Coss) | 13 pF typ |
| Kapasitansi transfer balik (Crss) | 6,6 pF typ |
| Waktu switching | td(on) 4,9 ns · tr 3,8 ns · td(off) 3,7 ns · tf 2,8 ns (typ; VDD 30 V, ID 1,2 A, VGS 4,5 V, RG 6,8 Ω) |
| Disipasi daya (PD) | 1,25 W (TA 25 °C) · 0,80 W (TA 70 °C) |
| Resistansi termal (RθJA) | 100 °C/W maks |
| Tegangan maju dioda body (VSD) | 1,2 V maks (IS 1,2 A, VGS 0 V) |
| Suhu kerja dan penyimpanan (TJ, Tstg) | −55 °C – +150 °C |
| Jumlah kanal | 1 |
| Kemasan | Micro3 (SOT-23) |
| Jenis pemasangan | SMD (surface mount) |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet International Rectifier IRLML2060TRPbF (PD-97448A).
Gate dapat dikendalikan langsung dari level logika 4,5 V: RDS(on) dijamin pada VGS 4,5 V, bukan hanya pada 10 V.
Arus drain 1,2 A dan disipasi daya 1,25 W berlaku pada suhu lingkungan 25 °C; pada 70 °C keduanya turun menjadi 0,93 A dan 0,80 W.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.
