Spesifikasi teknis
| Jenis | Gate driver high-side dan low-side tegangan tinggi untuk MOSFET daya / IGBT |
|---|---|
| Merek | Infineon (dahulu International Rectifier) |
| Tegangan offset (VOFFSET) | Maks. 600 V |
| Arus output (IO+/-) | 2 A / 2 A |
| Tegangan drive gate (VOUT) | 10 V – 20 V |
| Waktu ton / toff | 130 ns / 120 ns (tipikal) |
| Delay matching | Maks. 20 ns |
| Fitur | Kanal mengambang untuk operasi bootstrap, tahan transien tegangan negatif (dV/dt immune), UVLO pada kedua kanal, kompatibel logika 3,3 V, suplai logika terpisah 3,3 V – 20 V, input CMOS Schmitt-trigger dengan pull-down, logika shutdown per siklus, output sefase dengan input |
| Kemasan | SOIC-16 (versi S) |
| Jenis pemasangan | Surface Mount |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet Infineon/International Rectifier IRS2110/IRS2113 “High and Low Side Driver” (Data Sheet No. PD60249; salinan alldatasheet), ringkasan produk dan daftar fitur halaman 1, kolom IRS2113.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.


