Spesifikasi teknis
| Jenis | Dioda Schottky barrier, surface mount |
|---|---|
| Merek | Taiwan Semiconductor |
| Tegangan balik puncak berulang (VRRM) | 20 V |
| Tegangan RMS maks. | 14 V |
| Tegangan blok DC maks. | 20 V |
| Arus maju rata-rata (IF(AV)) | 1 A |
| Arus surja maju (IFSM) | 25 A (8,3 ms, setengah gelombang sinus) |
| Tegangan maju maks. (VF) | 0,450 V (1 A) · 0,750 V (3 A) |
| Arus bocor balik maks. (IR) | 0,5 mA (TJ 25 °C) · 5 mA (TJ 100 °C) |
| Kapasitansi junction (tipikal) | 110 pF (4,0 V, 1 MHz) |
| Resistansi termal junction–ambient (tipikal) | 80 °C/W |
| Suhu junction kerja | −65 °C – +125 °C |
| Kemasan | MELF (pita katoda biru) |
| Jenis pemasangan | SMD |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet Taiwan Semiconductor LL5817-LL5819 (Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers, versi G1603): tabel maximum ratings and electrical characteristics LL5817.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.


