Spesifikasi teknis
| Jenis | Transistor daya bipolar PNP, general purpose |
|---|---|
| Merek | STMicroelectronics |
| VCEO | −60 V |
| VCBO | −100 V |
| VCER (RBE 100 Ω) | −70 V |
| VEBO | −7 V |
| Arus kolektor (IC) | −15 A |
| Arus basis (IB) | −7 A |
| Disipasi daya (Ptot) | 115 W (Tc ≤ 25 °C) |
| hFE | Min. 20 (VCE −4 V, IC −4 A) · min. 5 (VCE −4 V, IC −10 A) |
| VCE(sat) maks. | −1 V (IC −4 A, IB −400 mA) · −3 V (IC −10 A, IB −3,3 A) |
| VBE maks. | −1,8 V (VCE −4 V, IC −4 A) |
| Pasangan komplementer | 2N3055 |
| Suhu junction maks. | 200 °C |
| Kemasan | TO-3 (casing logam) |
| Jenis pemasangan | Through Hole |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet STMicroelectronics 2N3055/MJ2955 (DocID4079 Rev. 8, 11 November 2013): tabel absolute maximum ratings dan karakteristik listrik untuk MJ2955. ST mencatat produk ini sudah obsolete di lini mereka.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.


