Spesifikasi teknis
| Jenis | Transistor bipolar PNP, tegangan tinggi |
|---|---|
| Merek | onsemi (ON Semiconductor) |
| VCEO | −300 V |
| VCB | −300 V |
| VEB | −3 V |
| Arus kolektor (IC) | −0,5 A kontinu · −0,75 A puncak |
| Disipasi daya (PD) | 15 W (TC 25 °C) · 1,56 W (TA 25 °C, pad minimum) |
| hFE | 30–240 (VCE −10 V, IC −50 mA) |
| VCE(sat) maks. | −1 V (IC −100 mA, IB −10 mA) |
| fT | Min. 10 MHz (VCE −10 V, IC −50 mA) |
| Pasangan komplementer | MJD340 |
| Kode marking | J350G |
| Suhu junction maks. | 150 °C |
| Konfigurasi kaki | 1 Basis · 2 Kolektor · 3 Emitor · tab = Kolektor |
| Kemasan | DPAK (TO-252) |
| Jenis pemasangan | Surface Mount |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet onsemi MJD340 (NPN) / MJD350 (PNP) (MJD340/D, Rev. 13, Mei 2024): tabel maximum ratings, karakteristik listrik dan informasi marking untuk MJD350.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.


