MMBT489LT1G ON SOT-23

Spesifikasi teknis

Jenis	Transistor bipolar NPN switching, VCE(sat) rendah
Merek	onsemi
VCEO	30 V
VCBO	50 V
VEBO	5,0 V
Arus kolektor (IC)	1,0 A kontinu · 2,0 A puncak
Disipasi daya (PD)	310 mW (pad FR-4 minimum) · 710 mW (pad 1 × 1 inci); TA 25 °C
hFE	Min. 300 (IC 50 mA dan 0,5 A, VCE 5 V) · min. 200 (IC 1,0 A)
fT	Min. 100 MHz
Kode marking	N3
Konfigurasi kaki	1 Basis · 2 Emitor · 3 Kolektor
Kemasan	SOT-23
Jenis pemasangan	Surface Mount

Keterangan

Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet onsemi MMBT489LT1/D (revisi 7, Oktober 2024).

Nilai VCE(sat) tidak kami tampilkan karena pasangan nilai dan kondisi ujinya tidak dapat kami baca dengan pasti dari salinan datasheet.

Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.

Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.