MOSFET BSP129H6327XTSA1 INFINEON SOT-223

Spesifikasi teknis

Jenis	MOSFET small-signal N-channel 240 V, depletion mode (SIPMOS)
Merek	Infineon Technologies
Tegangan drain-source (VDS)	240 V
Tegangan gate-source (VGS)	±20 V
Arus drain kontinu (ID)	0,35 A (TA 25 °C) · 0,28 A (TA 70 °C)
Arus drain pulsa	1,4 A
RDS(on) maks	20 Ω (VGS 0 V, ID 25 mA) · 6,0 Ω (VGS 10 V, ID 0,35 A)
Arus drain saat VGS 0 V (IDSS)	50 mA min
Tegangan ambang gate (VGS(th))	-2,1 V min · -1,4 V typ · -1 V maks
Muatan gate total (Qg)	3,8 nC typ (VGS -3 V s/d 5 V)
Disipasi daya (Ptot)	1,8 W (TA 25 °C)
Suhu sambungan dan penyimpanan	-55 °C – +150 °C
Jumlah kanal	1
Kemasan	SOT-223 (PG-SOT223)
Kode pada badan	BSP129
Jenis pemasangan	Surface Mount

Keterangan

Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet Infineon BSP129 (Rev. 1.42, 2012-11-29). Ini MOSFET jenis depletion: transistor sudah menghantar saat VGS 0 V dan dimatikan dengan tegangan gate negatif. Akhiran H6327 menandai kemasan reel dengan rating listrik yang sama.

Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.

Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.