MOSFET N CH. 2N7002LT1G SOT-23 ON SEMI.

Spesifikasi teknis

Jenis	MOSFET N-channel enhancement mode untuk switching sinyal kecil
Merek	onsemi (ON Semiconductor)
Tegangan drain-source (VDSS)	60 V
Tegangan drain-gate (VDGR)	60 V (RGS 1 MΩ)
Arus drain kontinu (ID)	115 mA pada TC 25 °C; 75 mA pada TC 100 °C
Arus drain pulsa (IDM)	800 mA
Tegangan gate-source (VGS)	±20 V kontinu; ±40 V non-repetitive (tp ≤ 50 µs)
Tegangan ambang gate (VGS(th))	1,0 V minimum, 2,5 V maksimum (VDS = VGS, ID 250 µA)
RDS(on)	7,5 Ω maksimum pada VGS 10 V, ID 500 mA; 7,5 Ω maksimum pada VGS 5 V, ID 50 mA (keduanya pada TC 25 °C, naik menjadi 13,5 Ω pada 125 °C)
Transkonduktansi maju (gFS)	Minimum 80 mS pada ID 200 mA
Arus drain keadaan ON (ID(on))	Minimum 500 mA pada VGS 10 V
Kapasitansi masukan (Ciss)	50 pF maksimum pada VDS 25 V, VGS 0 V, f 1 MHz
Kapasitansi keluaran (Coss)	25 pF maksimum pada kondisi yang sama
Disipasi daya (PD)	225 mW pada PCB FR-5; 300 mW pada substrat alumina (TA 25 °C)
Resistansi termal junction-ambient (RθJA)	556 °C/W pada PCB FR-5; 417 °C/W pada substrat alumina
Suhu junction dan penyimpanan (TJ, Tstg)	-55 °C – +150 °C
Jumlah kanal	1
Kemasan	SOT-23
Jenis pemasangan	SMD/SMT

Keterangan

Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet onsemi 2N7002L / 2V7002L (publikasi 2N7002L/D, revisi 7, April 2013).

Angka disipasi daya komponen ini sering dikutip berbeda karena diukur pada dua jenis dudukan: 225 mW berlaku pada PCB FR-5, sedangkan 300 mW berlaku pada substrat alumina yang membuang panas lebih baik. Untuk pemakaian di PCB biasa, gunakan angka 225 mW.

Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.

Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.

Sumber: datasheet onsemi, salinan melalui LCSC, C16338.