MOSFET PTD15N10 PUOLOP TO-252

Spesifikasi teknis

Jenis	MOSFET N-channel enhancement mode, logic level (dapat dikendalikan dari 5 V)
Merek	PUOLOP
Tegangan drain-source (VDS)	100 V
Tegangan gate-source (VGS)	±20 V
Arus drain kontinu (ID)	15 A pada TC 25 °C; 9,6 A pada TC 70 °C (VGS 10 V)
Arus drain pulsa (IDM)	40 A pada TC 25 °C
Tegangan ambang gate (VGS(th))	1,0 V minimum, 2,0 V tipikal, 3,0 V maksimum (VDS = VGS, ID 250 µA)
RDS(on)	90 mΩ maksimum (78 mΩ tipikal) pada VGS 10 V, ID 10 A; 100 mΩ maksimum (82 mΩ tipikal) pada VGS 4,5 V, ID 5 A
Kapasitansi masukan (Ciss)	525 pF pada VDS 30 V, VGS 0 V, f 1 MHz
Kapasitansi keluaran (Coss)	41 pF pada kondisi yang sama
Kapasitansi transfer balik (Crss)	36 pF pada kondisi yang sama
Muatan gate total (Qg)	15,6 nC pada VDS 50 V, ID 3 A, VGS 10 V
Resistansi gate (Rg)	2,6 Ω
Disipasi daya (PD)	30 W pada TC 25 °C
Energi avalanche (EAS)	9 mJ, pulsa tunggal
Arus avalanche maksimum (IAS)	11 A (L 0,5 mH)
Resistansi termal junction-ambient (RθJA)	60 °C/W
Resistansi termal junction-case (RθJC)	5 °C/W
Suhu kerja dan penyimpanan (TJ, Tstg)	-55 °C – +175 °C
Jumlah kanal	1
Kemasan	TO-252
Jenis pemasangan	SMD/SMT

Keterangan

Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet PUOLOP PTD15N10 (Maret 2015).

Tegangan ambang gate 3,0 V adalah batas maksimum, bukan nilai tipikal: nilai tipikalnya 2,0 V dengan batas bawah 1,0 V. Komponen ini logic level, sehingga dapat dikendalikan penuh dari sinyal 4,5 V – 5 V.

Arus drain 15 A berlaku pada suhu case 25 °C. Pada TO-252 angka ini hanya tercapai bila komponen dipasang pada bidang tembaga yang cukup luas.

Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.

Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.

Sumber: datasheet PUOLOP, salinan melalui LCSC, C479050.