Spesifikasi teknis
| Jenis | Transistor bipolar NPN, low-noise, hFE sangat tinggi |
|---|---|
| Merek | onsemi (ON Semiconductor) |
| VCEO | 45 V |
| VCBO | 45 V |
| VEBO | 6,5 V |
| Arus kolektor (IC) | 200 mA (kontinu) |
| Disipasi daya (PD) | 625 mW (TA 25 °C) · 1,5 W (TC 25 °C) |
| hFE | Min. 400 (IC 10 µA) · min. 500 (IC 100 µA–10 mA) · maks. 1.500 (IC 10 mA); VCE 5 V |
| VCE(sat) maks. | 0,2 V (IC 10 mA, IB 0,5 mA) · 0,3 V (IC 50 mA, IB 5 mA) |
| VBE(on) maks. | 0,7 V (VCE 5 V, IC 1 mA) |
| fT | Min. 100 MHz (VCE 5 V, IC 1 mA) |
| Ccb | Maks. 3,0 pF (VCB 5 V, f 1 MHz) |
| Suhu junction maks. | 150 °C |
| Konfigurasi kaki | 1 Emitor · 2 Basis · 3 Kolektor |
| Kemasan | TO-92 (TO-226AA) |
| Jenis pemasangan | Through Hole |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet ON Semiconductor MPSA18 (Low Noise Transistor, MPSA18/D Rev. 1, Maret 2001): tabel maximum ratings dan karakteristik listrik.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.
