Spesifikasi teknis
| Jenis | Transistor bipolar NPN, tegangan tinggi |
|---|---|
| Merek | onsemi (ON Semiconductor) |
| VCEO | 300 V |
| VCBO | 300 V |
| VEBO | 6,0 V |
| Arus kolektor (IC) | 500 mA (kontinu) |
| Disipasi daya (PD) | 625 mW (TA 25 °C) · 1,5 W (TC 25 °C) |
| hFE | Min. 25 (IC 1 mA) · min. 40 (IC 10 mA dan 30 mA); VCE 10 V |
| VCE(sat) maks. | 0,5 V (IC 20 mA, IB 2 mA) |
| VBE(sat) maks. | 0,9 V (IC 20 mA, IB 2 mA) |
| fT | Min. 50 MHz (VCE 20 V, IC 10 mA) |
| Ccb | Maks. 3,0 pF (VCB 20 V, f 1 MHz) |
| Suhu junction maks. | 150 °C |
| Konfigurasi kaki | 1 Emitor · 2 Basis · 3 Kolektor |
| Kemasan | TO-92 (TO-226AA) |
| Jenis pemasangan | Through Hole |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet ON Semiconductor MPSA42/MPSA43 (High Voltage Transistors, MPSA42/D Rev. 2, Oktober 2001): tabel maximum ratings dan karakteristik listrik untuk MPSA42.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.
