Spesifikasi teknis
| Jenis | Transistor bipolar PNP, tegangan tinggi |
|---|---|
| Merek | onsemi (ON Semiconductor) |
| VCEO | −300 V |
| VCBO | −300 V |
| VEBO | −5,0 V |
| Arus kolektor (IC) | −500 mA (kontinu) |
| Disipasi daya (PD) | 625 mW (TA 25 °C) · 1,5 W (TC 25 °C) |
| hFE | Min. 25 (IC −1 mA) · min. 40 (IC −10 mA) · min. 25 (IC −30 mA); VCE −10 V |
| VCE(sat) maks. | −0,5 V (IC −20 mA, IB −2 mA) |
| VBE(sat) maks. | −0,9 V (IC −20 mA, IB −2 mA) |
| fT | Min. 50 MHz (VCE −20 V, IC −10 mA) |
| Ccb | Maks. 6,0 pF (VCB −20 V, f 1 MHz) |
| Suhu junction maks. | 150 °C |
| Konfigurasi kaki | 1 Emitor · 2 Basis · 3 Kolektor |
| Kemasan | TO-92 (TO-226AA) |
| Jenis pemasangan | Through Hole |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet ON Semiconductor MPSA92/MPSA93 (High Voltage Transistors, MPSA92/D Rev. 5, Oktober 2005): tabel maximum ratings dan karakteristik listrik untuk MPSA92.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.
