Spesifikasi teknis
| Jenis | IGBT reverse conducting (dioda terintegrasi) |
|---|---|
| Merek | onsemi |
| VCES | 600 V |
| IC | 24 A (TC 25 °C) · 14 A (TC 100 °C) |
| VCE(sat) typ / maks. | 1,85 V / 2,1 V (IC 15 A, VGE 15 V) |
| Ketahanan hubung singkat | 10 µs |
| Suhu junction maks. | 175 °C |
| Kemasan | TO-220F (full pack) |
| Jenis pemasangan | Through Hole |
Keterangan
Spesifikasi di atas berasal dari datasheet resmi onsemi NGTB15N60R2FG (Rev. 1, Desember 2014).
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.


