Spesifikasi teknis
| Jenis | MOSFET daya N-channel 60 V |
|---|---|
| Merek | onsemi (ON Semiconductor) |
| Tegangan drain-source (VDSS) | 60 V |
| Tegangan gate-source (VGS) | ±20 V |
| Arus drain kontinu (ID) | 120 A (TC 25 °C) · 85 A (TC 100 °C) |
| Arus drain pulsa (IDM) | 260 A (tp 10 µs) |
| RDS(on) maks | 6,0 mΩ (VGS 10 V, ID 60 A) |
| Tegangan ambang gate (VGS(th)) | 2,0 V min · 3,1 V typ · 4,0 V maks |
| Muatan gate total (Qg) | 150 nC typ · 170 nC maks (VGS 10 V) |
| Disipasi daya (PD) | 215 W (TC 25 °C) |
| Suhu sambungan dan penyimpanan | -55 °C – +175 °C |
| Jumlah kanal | 1 |
| Kemasan | D2PAK (CASE 418B) |
| Kode pada badan | 5426N |
| Jenis pemasangan | Surface Mount |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet onsemi NTB5426N / NTP5426N (NTB5426N/D, Rev. 1, Oktober 2011), versi D2PAK (NTB5426NT4G).
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.


