Spesifikasi teknis
| Jenis | MOSFET daya N-channel 30 V |
|---|---|
| Merek | onsemi |
| Tegangan drain-source (VDSS) | 30 V |
| Tegangan gate-source (VGS) | ±20 V |
| Arus drain kontinu (ID) | 191 A (TC 25 °C) · 138 A (TC 85 °C) · 28 A (TA 25 °C, pada PCB) |
| Arus drain pulsa (IDM) | 288 A (tp 10 µs) |
| RDS(on) maks | 2,0 mΩ (VGS 10 V) · 3,0 mΩ (VGS 4,5 V) |
| Tegangan ambang gate (VGS(th)) | 1,5 V – 2,5 V |
| Muatan gate total (Qg) | 39 nC typ · 58 nC maks (VGS 4,5 V) |
| Disipasi daya (PD) | 113,6 W (TC 25 °C) · 2,7 W (TA 25 °C, pada PCB) |
| Suhu sambungan dan penyimpanan | -55 °C – +150 °C |
| Jumlah kanal | 1 |
| Kemasan | SO-8 Flat Lead / DFN5 5×6 (CASE 488AA) |
| Kode pada badan | 4833N |
| Jenis pemasangan | Surface Mount |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet onsemi NTMFS4833N (NTMFS4833N/D, Rev. 11, Juni 2024).
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.


