Spesifikasi teknis
| Jenis | MOSFET P-channel 30 V (PowerTrench), gate terproteksi ESD |
|---|---|
| Merek | onsemi |
| Tegangan drain-source (VDS) | -30 V |
| Tegangan gate-source (VGS) | ±25 V |
| Arus drain kontinu (ID) | -4,9 A |
| Arus drain pulsa | -20 A |
| RDS(on) maks | 42 mΩ (VGS -10 V) · 75 mΩ (VGS -4,5 V) |
| Tegangan ambang gate (VGS(th)) | -1 V min · -2,2 V typ · -3 V maks |
| Muatan gate total (Qg) | 17 nC typ · 24 nC maks (VGS -10 V) |
| Disipasi daya (PD) | 1,6 W |
| Suhu sambungan dan penyimpanan | -55 °C – +150 °C |
| Jumlah kanal | 1 |
| Kemasan | SuperSOT-6 (TSOT-23 6 kaki) |
| Kode pada badan | .610Z |
| Jenis pemasangan | Surface Mount |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet onsemi FDC610PZ (Rev. 3, Februari 2024). Nilai arus dan daya berlaku untuk pemasangan pada PCB sesuai catatan 1a datasheet.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.




