Spesifikasi teknis
| Jenis | IGBT trench gate 600 V dengan dioda fast recovery built-in (aplikasi inverter) |
|---|---|
| Merek | Renesas |
| Kode pabrikan | RJH60D2DPP |
| VCES | 600 V |
| IC (Tc = 25 °C) | 25 A |
| IC (Tc = 100 °C) | 12 A |
| ic (puncak) | 50 A |
| VGES | ± 30 V |
| VCE(sat) typ. | 1,7 V (IC 12 A, VGE 15 V) |
| Arus maju dioda (iDF) | 12 A |
| Recovery dioda (typ.) | 100 ns |
| Fall time (typ.) | 80 ns |
| Short circuit withstand (typ.) | 5 µs |
| PC (Tc = 25 °C) | 34 W |
| Suhu junction maks. | 150 °C |
| Kemasan | TO-220FP (PRSS0003AG-A) |
| Susunan kaki | 1 Gate, 2 Collector, 3 Emitter |
| Pemasangan | Through Hole |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet resmi Renesas RJH60D2DPP-E0 (R07DS0894EJ0100 Rev.1.00, 1 November 2012, preliminary; LCSC C17220889).
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.


