Spesifikasi teknis
| Jenis | MOSFET P-channel 20 V |
|---|---|
| Merek | Vishay Siliconix |
| Tegangan drain-source (VDS) | -20 V |
| Tegangan gate-source (VGS) | ±8 V |
| Arus drain kontinu (ID) | -3,7 A (TA 25 °C, steady state) · -4,7 A (5 s) |
| Arus drain pulsa (IDM) | -20 A |
| RDS(on) maks | 39 mΩ (VGS -4,5 V) · 52 mΩ (VGS -2,5 V) · 68 mΩ (VGS -1,8 V) |
| Tegangan ambang gate (VGS(th)) | -0,40 V – -1,0 V |
| Muatan gate total (Qg) | 12,5 nC typ (VGS -4,5 V) |
| Disipasi daya (PD) | 0,75 W (TA 25 °C, steady state) · 1,25 W (5 s) |
| Suhu sambungan dan penyimpanan | -55 °C – +150 °C |
| Jumlah kanal | 1 |
| Kemasan | SOT-23 (TO-236) |
| Kode pada badan | D3 |
| Jenis pemasangan | Surface Mount |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet Vishay Si2323DS (dokumen 72024, Rev. D, 02-Feb-09).
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.


