Spesifikasi teknis
| Jenis | MOSFET daya N-channel CoolMOS C3 600 V |
|---|---|
| Merek | Infineon Technologies |
| Tegangan drain-source (V(BR)DSS) | 600 V min (VGS 0 V, ID 0,25 mA) · 650 V pada Tj maks |
| Tegangan gate-source (VGS) | ±20 V statis · ±30 V AC (f > 1 Hz) |
| Arus drain kontinu (ID) | 20,7 A (TC 25 °C) · 13,1 A (TC 100 °C) |
| Arus drain pulsa (ID puls) | 62,1 A |
| Tegangan ambang gate (VGS(th)) | 2,1 – 3,9 V, typ 3 V (ID 1000 µA, VGS = VDS) |
| RDS(on) | 0,16 Ω typ, 0,19 Ω maks (VGS 10 V, ID 13,1 A, Tj 25 °C) · 0,43 Ω typ pada Tj 150 °C |
| Resistansi gate (RG) | 0,54 Ω typ (f 1 MHz, drain terbuka) |
| Transkonduktansi (gfs) | 17,5 S typ (ID 13,1 A) |
| Muatan gate total (Qg) | 87 nC typ, 114 nC maks (VDD 480 V, ID 20,7 A, VGS 0 – 10 V) |
| Muatan gate-source (Qgs) | 11 nC typ |
| Muatan gate-drain (Qgd, Miller) | 33 nC typ |
| Tegangan plateau gate | 5,5 V typ |
| Kapasitansi masukan (Ciss) | 2400 pF typ (VGS 0 V, VDS 25 V, f 1 MHz) |
| Kapasitansi keluaran (Coss) | 780 pF typ |
| Kapasitansi transfer balik (Crss) | 50 pF typ |
| Kapasitansi keluaran efektif | Co(er) 83 pF typ · Co(tr) 160 pF typ (VDS 0 – 480 V) |
| Waktu switching | td(on) 10 ns · tr 5 ns · td(off) 67 / 100 ns · tf 4,5 / 12 ns (typ / maks; VDD 380 V, VGS 0/13 V, ID 20,7 A, RG 3,6 Ω) |
| Energi avalanche pulsa tunggal (EAS) | 690 mJ (ID 10 A, VDD 50 V) |
| Energi avalanche berulang (EAR) | 1 mJ (ID 20 A, VDD 50 V) |
| Arus avalanche berulang (IAR) | 20 A |
| Disipasi daya (Ptot) | 208 W (TC 25 °C) |
| Resistansi termal | RthJC 0,6 K/W maks · RthJA 62 K/W maks |
| Tegangan maju dioda body (VSD) | 1 V typ, 1,2 V maks (VGS 0 V, IF = IS) |
| Pemulihan balik dioda body | trr 500 ns typ, 800 ns maks · Qrr 11 µC · Irrm 70 A (typ; VR 480 V, dIF/dt 100 A/µs) |
| Suhu kerja dan penyimpanan (Tj, Tstg) | −55 °C – +150 °C |
| Kode marking | 20N60C3 |
| Jumlah kanal | 1 |
| Kemasan | TO-247 (PG-TO247) |
| Jenis pemasangan | Through hole |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet Infineon SPW20N60C3 (Rev. 2.5, 11 Februari 2008).
Kode 20N60C3 dengan logo Infineon pada badan komponen di foto produk sesuai dengan datasheet ini.
CoolMOS adalah lini MOSFET tegangan tinggi milik Infineon sendiri, bukan rancangan International Rectifier.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.
