Spesifikasi teknis
| Jenis | MOSFET daya N-channel 600 V (SuperMESH), gate dilindungi zener |
|---|---|
| Merek | STMicroelectronics |
| Tegangan drain-source (VDS) | 600 V |
| Tegangan gate-source (VGS) | ±30 V |
| Arus drain kontinu (ID) | 4 A (TC 25 °C) · 2,5 A (TC 100 °C) |
| Arus drain pulsa (IDM) | 16 A |
| RDS(on) maks | 2 Ω (VGS 10 V, ID 2 A) |
| Tegangan ambang gate (VGS(th)) | 3,00 V min · 3,75 V typ · 4,50 V maks |
| Muatan gate total (Qg) | 18,8 nC typ (VGS 10 V) |
| Disipasi daya (PTOT) | 70 W (TC 25 °C) |
| Suhu penyimpanan | -55 °C – +150 °C |
| Jumlah kanal | 1 |
| Kemasan | D²PAK (TO-263) |
| Kode pada badan | B4NK60Z |
| Jenis pemasangan | Surface Mount |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet STMicroelectronics STB4NK60ZT4 (DS14442, Rev. 2, Agustus 2025).
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.


