Spesifikasi teknis
| Jenis | Transistor daya bipolar NPN, general purpose |
|---|---|
| Merek | STMicroelectronics |
| VCEO | 100 V |
| VCBO | 100 V |
| VEBO | 5 V |
| Arus kolektor (IC) | 1 A kontinu · 3 A puncak |
| Arus basis (IB) | 0,4 A |
| Disipasi daya (Ptot) | 30 W (Tcase ≤ 25 °C) · 2 W (Tamb ≤ 25 °C) |
| hFE | Min. 40 (VCE 4 V, IC 0,2 A) · 15–75 (VCE 4 V, IC 1 A) |
| VCE(sat) maks. | 0,7 V (IC 1 A, IB 125 mA) |
| VBE(on) maks. | 1,3 V (VCE 4 V, IC 1 A) |
| Pasangan komplementer | TIP30C |
| Suhu junction maks. | 150 °C |
| Kemasan | TO-220 |
| Jenis pemasangan | Through Hole |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet STMicroelectronics TIP29A/TIP29C (Complementary silicon power transistors, Januari 2000): tabel absolute maximum ratings dan karakteristik listrik untuk TIP29C.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.


