Spesifikasi teknis
| Jenis | Transistor daya bipolar PNP, general purpose |
|---|---|
| Merek | Fairchild Semiconductor (kini bagian dari onsemi) |
| VCEO | −100 V |
| VCBO | −100 V |
| VEBO | −5 V |
| Arus kolektor (IC) | −3 A DC · −5 A puncak |
| Disipasi daya (PC) | 40 W (TC 25 °C) · 2 W (Ta 25 °C) |
| hFE | Min. 25 (VCE −4 V, IC −1 A) · 10–50 (VCE −4 V, IC −3 A) |
| VCE(sat) maks. | −1,2 V (IC −3 A, IB −375 mA) |
| VBE(sat) maks. | −1,8 V (VCE −4 V, IC −3 A) |
| fT | Min. 3,0 MHz (VCE −10 V, IC −500 mA) |
| Pasangan komplementer | TIP31C |
| Suhu junction maks. | 150 °C |
| Konfigurasi kaki | 1 Basis · 2 Kolektor · 3 Emitor |
| Kemasan | TO-220 |
| Jenis pemasangan | Through Hole |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet Fairchild Semiconductor TIP32/32A/32B/32C (PNP Epitaxial Silicon Transistor, Rev. A, Juli 2008): tabel absolute maximum ratings dan karakteristik listrik untuk TIP32C.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.
