Spesifikasi teknis
| Jenis | MOSFET daya N-channel 600 V, tipe HSD |
|---|---|
| Merek | Toshiba |
| Tegangan drain-source (VDSS) | 600 V |
| Arus drain (ID) | 10 A |
| Disipasi daya (PD) | 45 W |
| RDS(on) maks | 1,0 Ω (VGS 10 V) |
| Muatan gate total (Qg) | 25 nC typ |
| Jumlah kanal | 1 |
| Kemasan | TO-220SIS (TO-220 berbadan plastik penuh) |
| Jenis pemasangan | Through hole |
| Kode pada badan | K10A60D5 |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari katalog umum semikonduktor Toshiba “Transistors” (SCE0004K, September 2010), tabel MOSFET halaman 35.
Kami tidak menemukan datasheet lengkap TK10A60D5 dari Toshiba, sehingga spesifikasi di atas hanya berasal dari tabel ringkasan katalog resmi Toshiba. Nilai lain (tegangan gate, kapasitansi, waktu switching) tidak kami tampilkan karena tidak tercantum di sumber tersebut.
Katalog menandai TK10A60D5 dengan tanda “#: HSD type”, yaitu versi dengan dioda internal cepat (high-speed diode). Versi tanpa akhiran 5, TK10A60D, tercantum di baris terpisah dengan RDS(on) maks 0,75 Ω.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.
