Spesifikasi teknis
| Jenis | MOSFET daya N-channel 600 V, super junction (DTMOS) |
|---|---|
| Merek | Toshiba |
| Tegangan drain-source (VDSS) | 600 V |
| Tegangan gate-source (VGSS) | ±30 V |
| Arus drain kontinu (ID) | 30,8 A |
| Arus drain pulsa (IDP) | 123 A |
| RDS(on) maks | 0,088 Ω (VGS 10 V, ID 15,4 A) |
| Tegangan ambang gate (Vth) | 2,7 V – 3,7 V |
| Muatan gate total (Qg) | 86 nC typ (VGS 10 V) |
| Disipasi daya (PD) | 230 W (Tc 25 °C) |
| Suhu kanal (Tch) | 150 °C maks |
| Suhu penyimpanan | -55 °C – +150 °C |
| Jumlah kanal | 1 |
| Kemasan | TO-247 |
| Jenis pemasangan | Through Hole |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet Toshiba TK31N60W (Rev. 3.0.A, 2026-04-14).
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.


