Name: TR. 2SC5200-O(Q) TOSHIBA TO-3P - RDD Technologies
Brand: TOSHIBA
SKU: 3201138-L14.46
Price: 75000 IDR
Availability: InStock

Spesifikasi teknis

Jenis	Transistor daya bipolar NPN, penguat audio daya
Merek	Toshiba
VCEO	230 V
VCBO	230 V
VEBO	5 V
Arus kolektor (IC)	15 A
Arus basis (IB)	1,5 A
Disipasi daya (PC)	150 W (Tc 25 °C)
hFE	80–160 (kelas O; VCE 5 V, IC 1 A) · min. 35 (VCE 5 V, IC 7 A)
VCE(sat)	Tipikal 0,4 V · maks. 3,0 V (IC 8 A, IB 0,8 A)
VBE maks.	1,5 V (VCE 5 V, IC 7 A)
fT	30 MHz (tipikal; VCE 5 V, IC 1 A)
Cob	200 pF (tipikal; VCB 10 V, f 1 MHz)
Pasangan komplementer	2SA1943
Suhu junction maks.	150 °C
Kemasan	Toshiba 2-21F1A (TO-3P(L))
Jenis pemasangan	Through Hole

Keterangan

Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet Toshiba 2SC5200 (Silicon NPN Triple Diffused Type, 7 Juli 2004): tabel absolute maximum ratings, karakteristik listrik dan klasifikasi hFE (kelas O).

Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.

Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.