Spesifikasi teknis
| Jenis | Transistor bipolar PNP, saturasi rendah |
|---|---|
| Merek | Diodes Incorporated |
| VCEO | −40 V |
| VCBO | −50 V |
| VEBO | −7,5 V |
| Arus kolektor (IC) | −5,5 A kontinu · −15 A puncak |
| Disipasi daya (PD) | 0,9–3,0 W (tergantung luas tembaga PCB) |
| VCE(sat) | < −60 mV (IC −1 A) |
| fT | 152 MHz (tipikal; VCE −10 V, IC −50 mA) |
| Cobo | 53 pF (tipikal; VCB −10 V, f 1 MHz) |
| Suhu junction maks. | 150 °C |
| Kode marking | 53Z |
| Kemasan | SOT-89 (pad kolektor terbuka) |
| Jenis pemasangan | Surface Mount |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet Diodes Incorporated ZX5T3Z (40V PNP low saturation transistor in SOT89, DS33419 Rev. 3-2, April 2023): tabel absolute maximum ratings, karakteristik listrik dan informasi marking.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.


