Spesifikasi teknis
| Jenis | Gate driver untuk IGBT dan MOSFET SiC (buffer emitter-follower) |
|---|---|
| Merek | Diodes Incorporated |
| Tegangan suplai maks. (VCC terhadap VEE) | 40 V (penggerak gate +20 V hingga −18 V) |
| Arus keluaran puncak (pulsa) | ±10 A (maks.) · tipikal 4 A source / 3,8 A sink (input 1 mA, VCC 5 V) |
| Arus input puncak maks. | ±100 mA |
| Tegangan output | High: VCC − 0,8 V (tipikal) · Low: VEE + 0,12 V (tipikal) |
| Arus diam maks. | 50 nA (VCC 30 V) |
| Waktu switching (CL 10 nF) | td(rise) 8 ns · tr 48 ns · td(fall) 16 ns · tf 35 ns (VCC 15 V, RIN 1 kΩ) |
| Disipasi daya | 1,1 W |
| Suhu junction kerja | −55 °C – +150 °C |
| Kualifikasi | AEC-Q101 |
| Kode marking | 3006 |
| Konfigurasi kaki | 1 VCC · 2 IN · 3 VEE · 4 SINK · 5 jangan dihubungkan · 6 SOURCE |
| Kemasan | SOT-26 (SOT-23-6) |
| Jenis pemasangan | SMD |
Keterangan
Seluruh spesifikasi di atas berasal dari datasheet Diodes Incorporated ZXGD3006E6 (40V 10A Gate Driver in SOT26, DS35229 Rev. 6-2, Maret 2018): tabel absolute maximum ratings, karakteristik termal dan karakteristik listrik.
Data dari pemasok yang tidak dapat kami cocokkan dengan datasheet tidak kami tampilkan di halaman ini. Kami hanya menampilkan angka yang dapat kami pertanggungjawabkan.
Untuk memastikan kode komponen yang tersedia sebelum membeli, silakan hubungi kami.


